买卖IC网 >> 产品目录43520 >> BSS670S2L H6327 MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 datasheet 分离式半导体产品
型号:

BSS670S2L H6327

库存数量:7,228
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
BSS670S2L H6327 PDF下载
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 540mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 650 毫欧 @ 270mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 2V @ 2.7µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 2.26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 75pF @ 25V
功率 - 最大 360mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装 PG-SOT23-3
包装 剪切带 (CT)
其它名称 BSS670S2L H6327CT
相关资料
供应商
  • BSS670S2L H6327 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.636 0.636
    10 0.4572 4.572
    25 0.36096 9.024
    100 0.27432 27.432
    250 0.194304 48.576
    500 0.155448 77.724
    1,000 0.118872 118.872