BSS670S2L H6327 datasheet
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BSS670S2L H6327
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23 datasheet 分离式半导体产品
型号:
BSS670S2L H6327
库存数量:
7,228
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
RoHS:
无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
BSS670S2L H6327 PDF下载
标准包装
1
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
540mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
650 毫欧 @ 270mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 2.7µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
75pF @ 25V
功率 - 最大
360mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
PG-SOT23-3
包装
剪切带 (CT)
其它名称
BSS670S2L H6327CT
相关资料
属性
链接
代理商
BSS670S2L H6327
BSS670S2L L6327
BSS670S2LH6327
BSS670S2LH6327XT
BSS670S2LL6327
BSS67CTA
供应商
公司名
电话
深圳市亿联芯电子科技有限公司
18138401919
吴经理
深圳市华芯源电子有限公司
15019275130
张小姐
中山市翔美达电子科技有限公司
15502070655
朱小姐
深圳市琦凌凯科技有限公司
13316482149
彭先生
深圳市英科美电子有限公司
0755-23903058
张先生
惠芯易购(深圳)科技有限公司
0755-82797941
肖小姐
深圳市芯品会科技有限公司
0755-83265528
朱先生
上海住歧电子科技有限公司
17355301595
徐方
北京京北通宇电子元件有限公司
17862669251
洪宝宇
BSS670S2L H6327 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
1
0.636
0.636
10
0.4572
4.572
25
0.36096
9.024
100
0.27432
27.432
250
0.194304
48.576
500
0.155448
77.724
1,000
0.118872
118.872
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